2026年前三季度业绩预告披露后，长鑫科技（688825）的业绩弹性有了明确的数字注脚：预计营业收入2650亿至2700亿元，同比增长超7倍；归母净利润1310亿至1325亿元，较上年同期实现扭亏为盈。长鑫科技管理层在近期召开的2026年第二次临时股东会上表示，亮眼的财务表现源于行业景气度上行、产能利用率保持高位以及产品结构持续优化。
2025年下半年以来，AI算力需求驱动全球DRAM供需格局逆转，产品供不应求、价格大幅上涨。而公司管理层在股东会上的表态则进一步拉长了叙事的时间轴：预计2025至2030年DRAM行业年均复合增长率高达38.39%。AI算力对存储的拉动远未看到天花板。
面对广阔的市场机遇，长鑫科技稳步推进产能建设、产品研发和工艺技术提升，进一步提高单位晶圆产出和产能利用率，公司规模效应持续显现。同时，公司持续优化运营管理，积极拓展市场，持续深化产业链上下游协同合作，推动业务规模持续扩张。
但真正值得市场重估的，是长鑫在市场持续扩容背景下所展示的技术纵深与高端产品的持续落地。公司管理层在股东会上明确表态，公司将深入内存制造极致微缩领域的“无人区”，以创新工艺突破固有技术瓶颈。公司采取的“跳代研发”策略，使其在工艺迭代上绕开了亦步亦趋的跟随路径，已完成从第一代到第五代工艺技术平台的演进，底层制程与晶圆产出效率持续跃升；产品端已实现从LPDDR4X到DDR5、DDR5X，再到最新LPDDR6的全系列产品覆盖，核心技术达到国际先进水平。据公开技术参数显示，核心产品LPDDR6传输速率达12800 Mbps，功耗较LPDDR5X下降20%，广泛适配智能终端、数据中心、边缘计算、智能驾驶及智能制造等AI时代核心场景。与此同时，基于G5平台的两款单颗容量达24Gb的LPDDR5X也已进入规模量产。
更具前瞻意义的是4F²架构的进展。长鑫自成立以来便启动了4F²的研究和专利布局，公开专利族超300件，数量领先海内外厂商。自研的VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管采用垂直包围沟道结构，同面积存储密度可提升30%-50%，且首代4F²产品锚定DDR5 RDIMM，将直面服务器内存领域极高的技术与工程壁垒。
从G5平台的规模量产到LPDDR6的全球首发，再到4F²前瞻架构的蓄势待发，长鑫科技正以扎实的技术兑现与高端产品矩阵，不断拓宽其作为全球第四大DRAM厂商的护城河。随着高端产品占比的持续提升，公司的成长图景正在变得愈发清晰。
值得注意的是，长鑫科技在资本市场端亦展现出龙头企业的责任担当。在披露前三季度业绩预告的同日，公司董事长朱一明提议以自有或自筹资金回购公司股份，回购总额不低于10亿元、不超过20亿元，用途为员工股权激励/员工持股计划或减少公司注册资本。在近期半导体芯片科技公司回购区间普遍集中于2亿至8亿元的背景下，这一量级的回购方案本身即构成清晰的积极信号。
216.73.216.163
