长鑫科技深夜公告：拟241亿、108亿分别投建技术研发项目、存储器晶圆后道测试基地二期项目

来源 | 中新经纬　  

2026年09月29日 08:24  

本文158字，约1分钟

28日，长鑫科技发布公告称，公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，同时拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品(合肥)有限公司提供超募资金50亿元，由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。

上述项目投资总额分别为241亿元和108亿元。

216.73.216.206