中韩半导体ETF溢价超30%,谁在买入?

来源 | 《财经》杂志 文|《财经》记者 黄慧玲 编辑 | 郭楠 陆玲  

2026年05月14日 16:24  

本文1425字,约2分钟

高溢价状态下,中韩半导体ETF交易价格已脱离底层资产价值,完全由场内情绪驱动

5月13日,创业板指创下历史新高之际,华泰柏瑞中证韩交所中韩半导体ETF(513310,下称“中韩半导体ETF”)大涨9.57%,报6.134元,年内累计涨幅达138%,成为境内市场年内涨幅最大的ETF产品,同时IOPV(实时参考净值)溢价率首次升破30%。

紧接着,5月14日开市起,该基金再度停牌至10:30。5月14日午间,华泰柏瑞再度发布公告,于下午开市起至当日收市停牌。《财经》根据Wind(万得)数据统计,中韩半导体ETF今年以来已累计发布风险提示及停牌公告136次。

值得一提的是,场内ETF与指数走势已经明显背离。中韩半导体ETF在5月14日10:30开盘后仍在继续小幅上涨近1%,此时对应指数盘中实时下跌超1%。ETF与指数的涨跌背离亦直观反映出,高溢价状态下ETF交易价格已脱离底层资产价值,完全由场内情绪驱动。

韩国半导体强势上涨

中韩半导体ETF净值飙升,对应的是韩国半导体板块近一个月的大幅上涨。

Wind数据显示,韩国KOSPI指数自4月14日的5960点攀升至5月13日的7844点,区间涨幅约35%。5月6日当天,该指数大涨6.45%,半导体涨幅尤为突出。韩国交易所因KOSPI 200期货涨幅触及5%而启动熔断机制,程序化交易一度暂停5分钟。

产业方面,据国泰海通证券研报,2026年3月韩国半导体出口额滚动12个月同比增长52.4%,内存芯片出口额同比增速约80%。花旗研报预计,SK 海力士将受益于 2026 年下半年通用内存平均售价(ASP)的强劲上涨趋势,以及超预期的高带宽内存(HBM)价格增长。其中,2026 年四季度 HBM 平均售价预计环比上涨 30%。“Anthropic 近期将大模型 Token 上限提升超 2 倍,进一步支撑了通用内存的强劲定价。”

兴业证券研报认为,本轮周期是由 AI 数据中心和云服务商主导,AI 对存储需求拉动高于消费电子下滑对存储需求的影响。多家存储龙头管理层在一季度业绩会上表示,本轮供需失衡的持续时间将长于以往。

不过,短期波动同样剧烈。5月12日,KOSPI单日回撤2.29%,三星电子、SK海力士冲高回落,当日中韩半导体ETF盘中一度翻绿。

ETF溢价风险攀升

中韩半导体ETF是A股市场唯一一只可直接跟踪韩国股票市场的跨境QDII ETF,近期溢价攀升速度极快。5月6日溢价率为8.32%,5月7日升至13.9%,5月11日涨停当日达20.41%,5月13日收盘正式站上30%。

华泰柏瑞基金在溢价风险提示公告中明确表示,该基金二级市场交易价格显著高于基金份额参考净值,“投资者如果盲目投资,可能遭受重大损失”。

对于高溢价的成因,华泰柏瑞基金分析,作为跨境ETF,产品运作受QDII额度等因素约束,常规的一二级市场套利机制在当前环境下难以充分发挥作用,这也是溢价得以持续的技术性原因。

“溢价是二级市场价格超出IOPV的部分。从过往经验看,高溢价状态可能随市场情绪变化、额度释放等因素而收敛。当溢价回落时,即便指数基金净值没有下跌,在二级市场高溢价买入的投资者也可能面临亏损。”华泰柏瑞基金分析。

从韩国市场自身看,KOSPI在不到一个月内上涨逾31%,其间多次触发熔断机制,短期波动已显著放大。此外,跨境产品还面临汇率波动、境内外交易时差导致的净值与价格错配等固有风险。若资金撤离,可能导致价格快速下跌,流动性急剧变差。

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